Abstract:
The paper describes the prospect of using GaSb and GaSb semiconductors doped with Fe as a photosensitive element for infrared radiation detectors in the range of 1-2.5 μm. The photosensitive films of p-GaSb and p-GaSb (Fe) were obtained by the plasma electric discharge method and the laser ablation method.
Description:
În lucrare este descrisă perspectiva utilizării semiconductorilor de tipul GaSb și GaSb dopat cu Fe în calitate de element fotosensibil pentru detectoarele infraroșii de radiație în domeniul 1-2,5 µm. Filmele fotosensibile de p-GaSb și p-GaSb(Fe) au fost obținute prin metoda descărcărilor electrice de plasmă și prin metoda ablației laser.
